• 宽禁带半导体器件

    用禁带宽度为2电子伏以上的半导体材料(又称第三代半导体材料)制成的半导体器件。第一代半导体材料是元素半导体锗(Ge)、硅(Si)等,第二代是化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等,第三代是宽禁带半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和金刚石(diamond)等。在半导体能带结构中,...

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