军事信息技术
军用真空电子器件
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能产生峰值功率超过100兆瓦,频率在1~300吉赫的微波功率器件。20世纪70年代前后,在脉冲技术、强流束物理、等离子体物理及微波电子学发展的基础上,高功率微波研究得到迅速发展,多种相对论高功率微波器件相继诞生。其脉冲输出功率P与频率f平方乘积的性能因子Pf2,在短短的20年间提高了三个数量级。...
利用速度调制转变为密度调制的电子注与高频驻波场的相互作用,将直流能量转换为高频能量,实现高频信号放大的器件。是一种金属陶瓷结构的高真空密封管。分为单注速调管和多注速调管。特点是脉冲和平均输出功率高、增益高、工作稳定性好和寿命长,但工作电压高、瞬时带宽窄。兆瓦级功率S、C波段单注速调管,带宽达10...
集成固态/真空电子微波功率模块的简称。由小型化真空微波功率放大器、固态放大器和集成固态高压电源三部分组成。该模块只需加上直流电源即可作为微波放大器工作。其特点是大功率、高效率、低噪声、宽频带、高可靠、重量轻、体积小等。带宽可达6~18吉赫(GHz),进一步可扩展至2~8吉赫、2~18吉赫和2~4...
一种宽频带、高增益微波放大器。它利用在真空中的线性电子注与沿高频系统行进的电磁行波互作用使微波得到放大。螺旋线行波管剖视图 分类 行波管可分为螺旋线行波管和耦合腔行波管两大类:①螺旋线行波管。一类使用螺旋线、环杆或环圈等慢波结构的行波管。特点是色散较弱,并可通过纵向导电面加载和介质加载等手段实...
采用微细加工技术制成、具有大电流密度的场致发射阵列阴极作为电子源的真空器件。20世纪60年代,美国开始研制微型电子管。1968年,斯宾特(Spindt)研制成功薄膜场致发射阵列阴极,为真空微电子器件奠定了基础。1985年,法国的梅耶(Meyer)研制出第一个真空微电子单色场发射显示器件。1986...
在真空条件下,信号调制阴极发射的电子或气体放电产生的紫外线,激发荧光粉使其发光的显示器件。其特点是响应速度快、图像质量好。通常由电子源、控制极、荧光屏三部分组成。 分类与原理 根据器件形状分为两大类:①阴极射线管(CRT)。利用高能量电子束轰击荧光屏来激发发光,如示波管、显像管、雷达指示管、存...
工作时所加直流电场、磁场方向与电子云轮辐运动方向三者相互垂直的微波真空电子管。又称交叉场器件、M型器件。M型器件相应于O型器件而得名,O型器件是引用法文TPO(行波管)的字母“O”,M型器件是引用法文TPOM(具有磁场的行波管)的字母“M”。正交场器件具有高效率、低电压、可靠性高、价格便宜等特点...