• 真空微电子器件

    采用微细加工技术制成、具有大电流密度的场致发射阵列阴极作为电子源的真空器件。20世纪60年代,美国开始研制微型电子管。1968年,斯宾特(Spindt)研制成功薄膜场致发射阵列阴极,为真空微电子器件奠定了基础。1985年,法国的梅耶(Meyer)研制出第一个真空微电子单色场发射显示器件。1986...

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